3D-флеш-память начнет производить Toshiba

Toshiba в содружестве с SanDisk строит цех в префектуре Миэ (Япония), в котором будет производиться 3D-флеш-память, на порядки увеличивающая емкость накопителей в самых обычных устройствах.

В новом цехе будет производиться память типа NAND, применяемая в нынешних накопителях, и флеш-память с многоуровневой архитектурой (3D-память).

Компания ориентирована на высокий рыночный спрос на 3D-память. Так, Toshiba согласно данным HIS iSuppli занимает на мировом рынке флеш-памяти 31% оборота, т. е. второе место после Samsung с долей в 37%.

В конце июля прошлого года Toshiba показала память с 16 слоями, объединенными вертикальными проводниками с диаметром каждого в 50 нм.

Toshiba станет второй компанией после Samsung, производящей новые чипы флеш-памяти NAND. Впервые в новых микросхемах реализована схема размещения ячеек в объемной архитектуре 3D V-NAND.

В Samsung заявляют, что 3D V-NAND способна развивать 8-кратное увеличение показателя емкости. Так, в ноутбук можно будет встроить не 128 Гб, а 1 Тб.

Toshiba собирается построить свой укрепленный от землетрясений цех Fab 5 как можно более экологичным с возможностью вторичной переработки ресурсов и с использованием эффективного светодиодного освещения. И в сравнении с заводом Fab 4 выбросы парниковых газов сократятся на 13%.

Строительство Fab 5 закончится ориентировочно к лету следующего года, а производство 3D-памяти стартует уже в 2015 году.